位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Plane-wave pseudopotential study of mechanical and electronic properties for IV and III-V crystallin
  • ISSN号：0163-1829
  • 期刊名称：Phys. Rev
  • 时间：0
  • 作者或编辑：3448
  • 第一作者所属机构：中国科学院金属研究所
  • 页码：B66, 235111 (2002)
  • 语言：英文
  • 相关项目：氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
作者： S. Q. Wang|H. Q. Ye|
同期刊论文项目
氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
期刊论文 12 会议论文 6
同项目期刊论文
平面波赝势方法研究III-V和IV族闪锌矿晶体的力学和电子性质
平面波赝势研究III-V族闪锌矿和纤锌矿晶体在高压条件下的性质
A plane-wave pseudopotential study on III-V zinc-blende and wurtzite semiconductors under pressure
第一原理研究C、Si、Ge的六角相
C、Si、Ge六角相的第一原理弹性常数
第一原理研究III-V族化合物的弹性性质和相稳定性
First-principle study on elastic property and phase stability of III-V compounds
First-principles study on the lonsdaleite phases of C, Si and Ge
Ab initio elastic constants for the lonsdaleite phases of C, Si and Ge
晶体材料基因组问题第一原理计算研究
First-principles calculation of crystalline materials genome： a preliminary study