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氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
  • 项目名称：氮化镓半导休整扩展缺陷的电子性质理论研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：50072035
  • 申请代码：E020401
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：2001-01-01-2003-12-01
  • 项目负责人：王绍青
  • 负责人职称：研究员
  • 依托单位：中国科学院金属研究所
  • 批准年度：2000
中文摘要：

建立大晶格弛豫条件下强离子性共价键六角氮化镓晶体的原子间相互作用势。采用分子静力学、分子动力学方法模拟计算获得六角GaN薄膜和GaN/(Al、In)GaN量子阱多层膜中扩展缺陷与界面的正确原子构型。采用密度泛函和半经验量子力学计算研究扩展缺陷对电子能态的影响。研究扩展缺陷引起的应变场的光电性质。揭示扩展缺陷对光发射的影响机理。

中文主题词： 光电半导体、界面、能带、第一原理计算
结论摘要：

英文主题词Photoelectricity, interface, energy band, first-principles calculation

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