欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Precise Control on the Growth of 6H-SiC Nanowires
ISSN号:1466-8033
期刊名称:CrystEngCommun
时间:0
页码:1210-1212
语言:英文
相关项目:有机前驱体热解构筑SiC低维纳米超晶格阵列及其电学特性
作者:
Feng Wei|Ma Jingtao|Yang Weiyou|
同期刊论文项目
有机前驱体热解构筑SiC低维纳米超晶格阵列及其电学特性
期刊论文 13
专利 4
同项目期刊论文
Morphology Instability of Silicon Nitride Nanowires
Hollow Alumina Microsphere Chain Networks
Ostwald Ripening Growth of Silicon Nitride Nanoplates
Preferred Orientation of SiC Nanowires Induced by Substrates
Unconventional vapor-liquid-solid growth of SiO(2) nanooctopuses
单晶Si3N4纳米带可控Al掺杂研究