位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Efficient electron and hole doping in compositionally abrupt Si/Ge nanowires
  • ISSN号：2040-3364
  • 期刊名称：NANOSCALE
  • 时间：2013
  • 页码：3880-3888
  • 相关项目：硅锗异质结纳米线中杂质和缺陷的第一性原理研究
作者： Li, Pengfei|Zhou, Rulong|Pan, Bicai|Zeng, Xiao Cheng|
同期刊论文项目
硅锗异质结纳米线中杂质和缺陷的第一性原理研究
期刊论文 6
同项目期刊论文
The search for the most stable structures of silicon-carbon monolayer compounds
Role of vacancies to p-type semiconducting properties of SiGe nanowires
Unraveling Crystalline Structure of High-Pressure Phase of Silicon Carbonate
Efficient electron and hole doping in compositionally abrupt Si/Ge nanowires, Nanoscale