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Implantation temperature and thermal annealing behavior in H2+-implanted 6H-SiC
  • ISSN号：0168-583X
  • 期刊名称：Nuclear Instruments and Methods in Physics Researc
  • 时间：2013.1.1
  • 页码：239-244
  • 相关项目：高能重离子辐照注氢碳化硅晶体内部缺陷演化的研究
作者： 李炳生|
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