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低介电常数纳米氧化硅薄膜(英文)
  • ISSN号：1002-185X
  • 期刊名称：《稀有金属材料与工程》
  • 时间：0
  • 分类：O613.72[理学—无机化学;理学—化学]
  • 作者机构：[1]同济大学, [2]上海理工大学, [3]上海暄洋化工材料科技有限公司, [4]中星电动车科技有限公司
  • 相关基金：Chinese National Foundation of High Technology (2008AA8041606,2007AA804807, 2007AA804137);Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials and Technology (07DZ22302);Shanghai Educational Development Foundation (2007CG26);Program for Young Excellent Talents in Tongji University (2006KJ052);National Natural Science Foundation of China (50752001);Shanghai Committee of Science and Technology (055211010, 0652nm044, 07JC14052)
作者： 沈军[1], 朱玉梅[1], 林雪晶[1], 吴广明[1], 周斌[1], 倪星元[1], 姚兰芳[2], 汪国庆, 汪培庆, 汪庆峰, 牛锡贤
关键词： 低介电常数, 薄膜, 溶胶-凝胶法
中文摘要：

介绍了一种新制备低介电常数 SiO2薄膜的方法。以 TEOS 为前躯体、盐酸为催化剂、CTAB 作为模版剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶,以浸渍提拉法制备薄膜。采用 FITIR、XRD 和 AFM 等方法表征了薄膜,并用阻抗分析仪测量介电常数。结果表明,通过调节 CTAB 的浓度和老化时间可以制得介电常数小于 2.2 的 SiO2 薄膜,薄膜拥有较好的机械强度和耐刮擦性,通过采用六甲基二硅胶烷(HMDS)对薄膜表面进行修饰,可以提高薄膜的疏水性能从而提高其在空气中的稳定性。

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期刊信息
  • 《稀有金属材料与工程》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学技术协会
  • 主办单位:中国有色金属学会 中国材料研究学会 西北有色金属研究院
  • 主编：张平祥
  • 地址：西安市51号信箱
  • 邮编：710016
  • 邮箱：RMME@c-nin.com
  • 电话：029-86231117
  • 国际标准刊号：ISSN：1002-185X
  • 国内统一刊号：ISSN：61-1154/TG
  • 邮发代号:52-172
  • 获奖情况:
  • 首届国家期刊奖,中国优秀期刊一等奖,中国有色金属工业优秀期刊1等奖
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引（扩展库）,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:24715