位置：成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
Thermal Storage of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors
  • ISSN号：1530-4388
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Device and Materials Reliabil
  • 时间：0
  • 页码：360-365
  • 相关项目：AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究
作者： Zhao, Miao|Wang, Xinhua|Liu, Xinyu|Huang, Jun|Zheng, Yingkui|Wei, Ke|
同期刊论文项目
AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究
期刊论文 5 会议论文 1 专利 3
同项目期刊论文
A revised approach to Schottky parameter extraction for GaN HEMT
AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合