位置:成果数据库 > 期刊 > 期刊详情页
AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件的电容电压特性的经验拟合
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:物理学报
  • 时间:0
  • 页码:1-5
  • 分类:TN325.3[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]中国科学院微电子研究所,微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029
  • 相关基金:国家重点基础研究发展计划(批准号:2010CB327500); 国家自然科学基金(批准号:60976059 60890191)资助的课题
  • 相关项目:AlGaN/GaN HEMT飞秒超快特性的研究
中文摘要:

利用蓝宝石衬底的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率器件(HEMT)的电容电压(C-V)特性,对电子费米能级与二维电子气面密度的经验关系进行表征,其结果对器件电荷控制模型的建立,跨导及电容表达式的简化有重要意义.文章创新性地提出参数α用于表征二维势阱对沟道电子限制能力,并认为α越小则二维势阱的沟道电子限制能力越强.利用上述经验关系来拟合电容,可以获得与实测电容很好的一致性.

英文摘要:

This paper expresses the experiential relationship between Fermi level and the density of two-dimensional electron gas,based on the capacitance voltage(C-V) characteristics of the AlGaN /AlN /GaN high electron mobility transistor(HEMT) on sapphire substrate.The expression provides important references for establishing the device charge control model and simpliying the transconductance and capacitance.Parameter α is introduced for describing the ability for the two-dimensional potential well to restrict electrons,and we believe that the smaller the value of α,the stronger the restricting ability is.A coherent fitting effect,compared with the measurement,is obtained by making use of the experiential relationship said above.

同期刊论文项目
期刊论文 5 会议论文 1 专利 3
同项目期刊论文
期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876