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Low threshold current density 1.3 mu m metamorphic InGaAs/GaAs quantum well laser diodes
  • ISSN号：0013-5194
  • 期刊名称：Electronics Letters
  • 时间：0
  • 页码：474-U6
  • 语言：英文
  • 相关项目：半导体量子点非经典光辐射效应研究
作者： Niu, Z.|Han, Q.|Xiong, Y.|Ni, H.|Wu, B.|Wang, P.|Wang, S. M.|Huang, S.|Tangring, I.|Wu, D.|Wang, H.|
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