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一个通用的记忆器件模拟器
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:物理学报
  • 时间:2014.5.10
  • 页码:098501-
  • 分类:O415.5[理学—理论物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]湘潭大学光电工程系,湖南湘潭411105, [2]湘潭大学通信工程系,湖南湘潭411105
  • 相关基金:国家自然科学(61176032,61233010)资助项目
  • 相关项目:基于线性可调OTA的低电压可编程模拟阵列的研究
中文摘要:

由HP实验室研制的无源忆阻器得到的荷控二次型忆阻器模型,与有源磁控分段线性和三次光滑忆阻器模型相比,更符合实际.利用此模型并基于蔡氏混沌电路演化而来的拓扑对偶结构设计了一种新型忆阻器四阶混沌电路.理论分析、仿真及电路实现表明,该电路具有依赖于忆阻器初始状态的复杂动力学行为,也会产生随时间和系统参数变化的状态转移等非线性动力学现象,在相轨图中出现"涡眼"和"环眼".

英文摘要:

Compared with active piecewise linear( PWL) and cubic smooth memristor model adopted in most memristor-based chaotic circuits,charge-control quadratic memristor model is more practical,which is derived from a passive device fabricated by HP Labs.Based on the model and a topological dual structure of Chua 's chaotic circuit,a memristor-based fourth-order chaotic circuit was designed. As is verified by theoretical analysis,simulation and circuit realizations,the charge-control quadratic memristor-based chaotic circuit has complex dynamical behaviors relying on initial state of memristor. Meanwhile,non-linear dynamical phenomenon of state transition is generated along with variation of initial state,time and system parameters. An eye of scroll and an eye of limit cycle are observed in phase diagrams of chaotic circuits.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876