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表面等离子体提高GaN—LED发光效率的研究进展
  • ISSN号:1003-353X
  • 期刊名称:《半导体技术》
  • 时间:0
  • 分类:TN364.2[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387
  • 相关基金:国家自然科学基金青年基金项目(11404239);天津市自然科学基金青年基金项目(4JCQNJC01000)
中文摘要:

搭建由半导体制冷片和光谱仪组成的LED变温发光特性测试系统,使用多通道温度测试仪记录芯片工作温度,得到LED芯片在30-80℃范围内的发光特性与温度的关系。结果表明:在输入电流恒定时,随着芯片材料温度的不断升高,LED的电功率和光功率降低,LED光效下降趋势明显;同时由于材料禁带宽度减小, GaN LED的蓝光峰值波长发生红移;通过上述测试,利用数值拟合方式得到了芯片发光特性与温度之间的函数关系。

英文摘要:

A temperature changing LED spectral measurement system is built, which consisted of semiconductor refrigerating piece and spectrometers,using multi-channel temperature tester to test the chip′s temperature. The relationship between LED spectrum and temperature is measured from 30℃to 80℃. The tested result shows that when the input current is constant, with the temperature increasing, LED electrical power, luminous flux and electro-optic efficiency are reduced. GaN LED peak wavelength is red shift due to band gap diminishing. The function of temperature and light attenuation is obtained by numerical fitting test results.

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期刊信息
  • 《半导体技术》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国电子科技集团公司
  • 主办单位:中国电子科技集团公司第十三研究所
  • 主编:赵小玲
  • 地址:石家庄179信箱46分箱
  • 邮编:050051
  • 邮箱:informax@heinfo.net
  • 电话:0311-87091339
  • 国际标准刊号:ISSN:1003-353X
  • 国内统一刊号:ISSN:13-1109/TN
  • 邮发代号:18-65
  • 获奖情况:
  • 中文核心期刊,中国科技论文统计用刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘(网络版),美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:6070