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An optimized scalable BSIM macromodel for HV double-diffused drain MOSFET I-V characteristics
  • ISSN号：0885-8993
  • 期刊名称：IEEE Transactions on Power Electronics
  • 时间：0
  • 页码：1027-1030
  • 语言：英文
  • 相关项目：应用于射频电路的GPSOI新材料研究
作者： Ren Zheng|Chen Shoumian|Lai Zongsheng|Shi Yanling|Xu Jiayi|Ding Yanfang|Zhao Yuhang|Hu Shaojian|
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应用于射频电路的GPSOI新材料研究
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