中文摘要：

本项目是针对射频集成电路等的特殊要求，在常规SOI技术的基础上，探索研究带有接地WSix埋层的GPSOI新材料，通过WSi2薄膜的制备工艺优化及物理机制研究，确定射频性能优异的绝缘埋层制备方法，提高GPSOI材料较传统SOI的抗串扰性能，并实现GPSOI上高品质射频无源器件，表征该新型硅基材料优异的射频损耗特性。经过三年的探索和研究，较好地完成了原定的计划任务，并且开拓了一部分新的研究内容，课题组成员在多个刊物发表学术论文？篇，申请中的专利？项，培养了硕士研究生？名。本课题涉及SOI及硅基射频这两个国际热点领域，其研究成果可为SOI与硅基射频技术的有效结合及在射频集成电路等的特殊应用提供关键材料，也扩大了SOI的应用领域。