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不同生长条件下ZnO薄膜电学性质的研究
  • ISSN号：1000-7032
  • 期刊名称：发光学报
  • 时间：2013.11.15
  • 页码：1430-1434
  • 分类：O484.42[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构：发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 中国科学院大学, 吉林大学物理学院
  • 相关基金：国家自然科学基金(10974197,11104265)资助项目
  • 相关项目：基于极化诱导方法的氧化锌基p型材料制备研究
作者： 张振中|姚斌|李炳辉|王双鹏|姜明明|赵东旭|单崇新|刘雷|申德振|
关键词： ZNO, 高背景电子浓度, 生长室真空, 氢杂质
中文摘要：

ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本文采用分子束外延技术在不同真空度下在a面蓝宝石衬底上生长了一系列氧化锌薄膜,发现在低真空度下生长的样品的载流子浓度较高,为1019cm-3量级;而高真空度下生长的样品,其载流子浓度比低真空生长的样品显著降低,降低了3个数量级。在相同条件下生长的样品,通过不同的后处理手段进行处理后,其电子浓度未发生明显变化,说明氧空位等本征缺陷不是ZnO薄膜中电子的主要来源,高背景电子浓度应该与生长过程中非故意引入的杂质相关。通过低温光致发光表征,发现低真空度下生长的样品在低温下3.366 eV处有强的施主束缚激子发光峰,而高真空度下生长的样品的此发光峰显著变弱。由此,高电子浓度被归结为与生长过程中非故意引入的氢杂质相关。

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期刊信息
  • 《发光学报》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会发光分会 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 主编：申德振
  • 地址：长春市东南湖大路3888号
  • 邮编：130033
  • 邮箱：fgxbt@126.com
  • 电话：0431-86176862
  • 国际标准刊号：ISSN：1000-7032
  • 国内统一刊号：ISSN：22-1116/O4
  • 邮发代号:12-312
  • 获奖情况:
  • 物理学类核心期刊,2000年获中国科学院优秀期刊二等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7320