氧化锌激子束缚能高达60meV,使其有望实现室温下的短波高效发光和低阈值激光。但目前尚无可应用于器件的p型氧化锌基材料,这成为制约其在光电子方面发展的瓶颈问题。究其根本,受主激活能高是造成氧化锌基材料p型掺杂困难的主要原因。本项目针对上述难点,拟利用氧化锌压电张量大和单轴极性的特点,通过极化诱导方法使空穴离化,有效避开受主激活能限制,实现p型电导。在氧极性面氧化锌上制备镁组分连续变化的氧锌镁渐变层异质结,在压电极化和自发极化的共同作用下,组分相近的高镁组分一侧会产生电荷积累并在材料内部形成电场,该电场将随着组分渐变层厚度的增加而增强,并导致能带的倾斜。为了中和由极化产生的电荷和能带倾斜,受主将被迫离化并产生空穴,这些空穴在渐变层一侧积累形成空穴传输层,实现了p型导电。这种方法通过极化效应积累的电荷迫使受主离化,摆脱了受主激活能的束缚,可能为p型氧化锌基材料制备提供一条新途径。
ZnO;p-type doping;induced polarization;pn junction;
氧化锌(ZnO)激子束缚能高达60 meV,有望实现室温下的短波高效发光和低阈值激光。人们尝试了大量的方法,以期通过寻求合适的受主掺杂剂和掺杂方法来实现ZnO的p型掺杂,但由于ZnO中的受主杂质具有高的受主激活能,不能提供足够多的空穴使材料呈现p型电导,使目前尚无可应用于器件的p型氧化锌基材料,成为制约其在光电子方面发展的瓶颈问题。本项目针对ZnO基材料p型掺杂困难这一国际性难题,提出利用ZnO基材料压电张量大和单轴极性的特点,通过极化诱导方法迫使空穴离化,从而有效避开受主激活能的限制,实现p型电导。项目围绕极化诱导方法实现氧化锌基p型材料,按照计划书内容开展了ZnO基材料和相关光电器件的相关研究,完成了既定目标,取得下列成果 以氧极性的c面蓝宝石衬底为基础,通过超薄MgO缓冲层实现晶向选择,结合低温缓冲层工艺,实现了极性可控的高质量氧化锌薄膜,其性能参数与国际最好水平相当。通过对生长参数的控制,在特定极性的氧化锌衬底上实现了Mg组分渐变的MgxZn1-xO极化诱导层,并通过极化诱导方法在实验上实现了氧化锌基材料的p型电导。进一步的,通过将极化诱导p型氧化锌基材料与n-ZnO相结合,制备了氧化锌基pn结型紫外探测器件,获得了0V偏压下的光响应。基于已取得的结果,我们还制备了光功率达3.7 μW的Au/MgO/ZnO结构的MIS肖特基型发光二极管和可连续工作27小时的MgZnO:N/ZnO异质结构pn结型发光二极管;构建了NiO/ZnO核壳结构纳米线阵列,实现了自驱动、高光谱选择性的紫外探测器。成果方面,项目组在国内外学术期刊上共发表学术论文28篇,其中SCI收录21篇,EI收录7篇,影响因子大于3.0的10篇。共申请国家发明专利4项,其中1项已经授权。培养研究生6人,其中已毕业博士研究生3名,在读博士研究生1名,在读硕士生2名。共参加国际学术会议2次,国内学术会议1次。项目负责人王双鹏获吉林省科技进步一等奖一项(排名12)。 总之,在本项目的支持下,我们针对p型ZnO基材料制备这一瓶颈问题展开研究,通过极化诱导方法实现了p型导电的ZnO基材料,获得了ZnO基的光电器件。本项目的顺利实施可为p型ZnO基材料的制备提供一条新的途径,相关结果可为ZnO基光电子器件的制造和应用提供依据。