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MOCVD侧向外延GaN的结构特性
  • 期刊名称：发光学报，26（6），748-752, 2005
  • 时间：0
  • 相关项目：GaN－based稀磁半导体材料与自旋电子共振隧穿器件的研究
作者： 方慧智，陆敏，陈志忠，陆羽，胡
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