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IEC-GCT阳极结构参数的优化设计
  • 期刊名称:西安理工大学学报
  • 时间:0
  • 页码:388-392
  • 语言:中文
  • 分类:TN342.4[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]西安理工大学自动化与信息工程学院,陕西西安710048, [2]西安理工大学理学院,陕西西安710054
  • 相关基金:国家自然科学基金资助项目(50877066); 陕西省教育厅专项科研计划资助项目(09JK640)
  • 相关项目:阳极注入效率可控的(IEC)GCT新结构及其关键技术研究
中文摘要:

在分析IEC-GCT器件结构与工作机理的基础上,利用器件分析工具Silvaco模拟了IEC阳极结构的参数变化对IEC-GCT器件通态特性和关断特性的影响。结果表明,阳极区和短路区掺杂浓度及阳极短路比对通态压降和关断时间有较大影响,覆盖在p阳极上的氧化层宽度对通态特性影响较小,并给出了优化设计后的结构参数。

英文摘要:

Based on analysis for structure and operation mechanism of an IEC-GCT device,the influence of IEC anode structure parameters on turn-off and on-state characteristic is simulated by device analysis tools Silvaco.The results show that the p-anode and n + short region doping concentration and anode short rate have a greater effect on the conduction voltage drop and turn-off time,and the oxide width overlay on p-anode influences less on on-state characteristic.Optimized anode structure parameters are given.

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