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Exact results on cavity cooling in a system of a two-level atom and a cavity field
  • ISSN号:1674-1056
  • 期刊名称:《中国物理B:英文版》
  • 时间:0
  • 分类:TB43[一般工业技术]
  • 作者机构:[1]兰州大学物理科学与技术学院,兰州730000
  • 相关基金:国家基础科学人才培养基金(NFFTBS No.J0630313)
中文摘要:

采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶。

英文摘要:

Silicon film can be prepared by the hot-wire chemical-vapor deposition method(HWCVD) on glass substrates. Then it is observed using SEM and Raman spectrum, the influence of oncentration of silane and the distance between film and substrate on the properties of the film is studied systematically. In those experiments, concentration of silane and the distance between film and substrate alters under the same conditions, it is found that higher temperature of substrate and lower concentration of silane will be inclined to the crystalline of film.

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期刊信息
  • 《中国物理B:英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会和中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京 中关村 中国科学院物理研究所内
  • 邮编:100080
  • 邮箱:
  • 电话:010-82649026 82649519
  • 国际标准刊号:ISSN:1674-1056
  • 国内统一刊号:ISSN:11-5639/O4
  • 邮发代号:
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 被引量:406