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Effects of Fin Sidewall Angle on Subthreshold Characteristics of Junctionless Multigate Transistors
  • ISSN号：0021-4922
  • 期刊名称：Japanese Journal of Applied Physics
  • 时间：2013.9.9
  • 页码：1-4
  • 相关项目：纳米FinFET器件的退化模型和失效机理研究
作者： Haijun Lou|Dan Li|Yan Dong|Xinnan Lin|Shengqi Yang|Jin He|Mansun Chan|
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