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First principles study on the influence of vacancy defects on electronic structure and optical prope
  • ISSN号:0030-4026
  • 期刊名称:Optik
  • 时间:2013.7.31
  • 页码:587-592
  • 相关项目:对532nm敏感的GaAlAs光电发射机理及其制备技术研究
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