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双合成反铁磁结构及其对自旋阀巨磁电阻效应的影响
  • ISSN号:1000-3290
  • 期刊名称:《物理学报》
  • 时间:0
  • 分类:O484.43[理学—固体物理;理学—物理] O482.5[理学—固体物理;理学—物理]
  • 作者机构:[1]北京科技大学材料物理与化学系新金属材料国家重点实验室,北京100083
  • 相关基金:国家自然科学基金(批准号:50571021,90607020)、北京市自然科学基金(批准号:2063030)、教育部科学技术研究计划重点项目(批准号:107116)、国家重点基础研究发展规划(批准号:2007CB936202)和教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-20060420151)资助的课题.
中文摘要:

用直流磁控溅射方法制备了双合成反铁磁结构Co90Fe10(5nm)/Ru(x nm)/Co90Fe10(3 nm)/Ru(y nm)/Co90Fe10(5nm)(x=0.45,0.45,1.00;y=0.45,1.00,1.00)的系列样品,并对样品的性能及其作为钉扎层对自旋阀巨磁电阻(GMR)效应的影响进行了研究.结果表明,双合成反铁磁结构比普通合成反铁磁结构Co90Fe10(5nm)/Ru(0.5nm)/Co90Fe10(3nm)具有更优越的性能,并且双合成反铁磁结构作为钉扎层对自旋阀的GMR有很大提高.

英文摘要:

The properties of dual-synthetic antiferromagnet (DSAF) structure Co90 Fe10 (5 nm)/Ru( x nm)/Co90 Fe10 (3 nm)/Ru( y nm)/Co90Fe10(5 nm) (in which x = 0.45 y = 0.45; x = 0.45 y = 1; x = 1, y = 1) were studied. The effect of DSAF structure on giant magnetoresistance (GMR) single spin-valve (SPV) structures was also studied. The study shows that the properties of DSAF are better than those of the conventional synthetic antiferromagnet Co90 Fe10 (5 nm)/Ru(0.5 nm)/Co90 Fe10 (3 nm). We demonstrated that the DSAF structure as a pinned layer dramatically enhances the GMR ratio in single SPV films at room temperature.

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期刊信息
  • 《物理学报》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国物理学会 中国科学院物理研究所
  • 主编:欧阳钟灿
  • 地址:北京603信箱(中国科学院物理研究所)
  • 邮编:100190
  • 邮箱:apsoffice@iphy.ac.cn
  • 电话:010-82649026
  • 国际标准刊号:ISSN:1000-3290
  • 国内统一刊号:ISSN:11-1958/O4
  • 邮发代号:2-425
  • 获奖情况:
  • 1999年首届国家期刊奖,2000年中科院优秀期刊特等奖,2001年科技期刊最高方阵队双高期刊居中国期刊第12位
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国科学引文索引(扩展库),英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:49876