中文摘要：

本文研究了氧气压强对用脉冲激光沉积技术（PLD）在Si（100]基片上制备的YIG薄膜性能的影响。采用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、震动样品磁强计（VSM）、铁磁共振仪（FMR）等检测了薄膜微观性能及磁性。研究发现：（1）在0．3Pa和1pa下制备的YIG薄膜中没有杂相，而在4Pa和16Pa的薄膜中出现了YIP相；（2）薄膜的晶粒尺寸随氧压增大而减小；（3）在1Pa下制备得到的薄膜共振线宽最小，为910e；（4）薄膜饱和磁化强度（Ms）随氧压的增加而降低，1Pa下得到的薄膜的Ms为1380e，最接近理论值。