彩和半经验色散公式分析了LT-GaAs衬底共面微带传输线的THz模式色散与切伦柯夫辐射损耗特性,同时计算了导体欧姆损耗和衬底介电损耗,结果表明,较小的横向尺寸有利于改善LT-GaAs共面微带传输线模式色散和辐射损耗特性。较大的横向尺寸比可降低导体欧姆损耗。