低温生长GaAs缺陷态载流子俘获与复合的超快动力学研究-东篱科研大数据发现系统（DRDS）

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低温生长GaAs缺陷态载流子俘获与复合的超快动力学研究

项目名称：低温生长GaAs缺陷态载流子俘获与复合的超快动力学研究
项目类别：面上项目
批准号：19874082
申请代码：A040210
项目来源：国家自然科学基金
研究期限：1999-01-01-2001-12-01

项目负责人：林位株
负责人职称：教授
依托单位：中山大学
批准年度：1998

中文摘要：

本项目采用选进的飞秒激光光谱技术，特别是多波长泵浦—探测技术和飞秒光电导相关技术，研究了LT-GaAs在不同激发能态下导带中电子的驰豫过程和缺陷态对电子的俘获过程，完成了原计划的内容，取得了四个重要的研究成果1. 在实验上测出了LT-GaAs中载流子的寿命<400fs，导出了电子的俘获时间小于500fs ，并指出随着光激发能量的增大，电子俘获速率加快，这些都是有关LT-GaAs研究的新的结果.2.研究了LT-GaAs的亚皮秒级光电导开关超快瞬态响应特性.3.完成了半导体带间光学极化的两种超快退相机制—载流子散射和载流子—光学声子散射（包括谷间散射和空穴-声子散射）理论研究，理论计算结果为实验所验证. 4.在飞秒产生和测量技术上取得了突破，在自行研制的自锁模钛宝石飞秒激光器中获得8.5飞秒脉冲，频谱最宽达144nm ，这是目前国内同类激光器产生的最短脉冲，达国际先进水平。

中文主题词： LT-GaAs；缺陷态捕获过程；飞秒激光光谱技术

结论摘要：

英文主题词LT-GaAs ；Trapping in defects ；Femtoseoond laser spectrosoopy

成果综合统计