欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
A Full Adder Based on Hybrid Single - Electron Transistors and MOSFETs at Room Temperature
期刊名称:Computer Engineering and Technology
时间:0
页码:-
相关项目:SET/MOSFET混合单元的制备、分析及其逻辑设计
作者:
X Chen|Z Xing|B Sui|
同期刊论文项目
SET/MOSFET混合单元的制备、分析及其逻辑设计
期刊论文 13
会议论文 6
同项目期刊论文
In-situ electrical characterization of tapered InAs nanowires in a transmission electron microscope
量子计算机:量子算法与物理实现
基于微芯片的透射电子显微镜的低温纳米精度电子束刻蚀与原位电学输运性质测量
Tunable Negative Differential Resistance of Single - Electron Transistor Controlled by Capacitance
室温下单电子晶体管 3 种临界尺寸的确定
Reconfigurable pseudo-NMOS-like logic with hybrid MOS and single-electron transistors
单岛单电子晶体管的电导分析
单岛单电子晶体管电导特性分析
基于周期特性的双岛 SET 主方程模拟及其改进
多岛单电子晶体管的紧凑模型
MOS与SET混合实现的可重构类伪NMOS单元逻辑
基于周期特性的双岛单电子晶体管主方程模拟及改进