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Bi2Te3热电薄膜的电化学原子层外延制备
  • ISSN号:1001-9731
  • 期刊名称:《功能材料》
  • 时间:0
  • 分类:O646[理学—物理化学;理学—化学] TN377[电子电信—物理电子学]
  • 作者机构:[1]华中科技大学模具技术国家重点实验室,湖北武汉430074
  • 相关基金:国家基础研究重大项目前期研究资助项目(2004CCA03200);国家自然科学基金资助项目(50401008).致谢:感谢华中科技大学研究生创新基金对本项目的大力支持!
中文摘要:

采用电化学原子层外延法(ECALE)在Au电极上成功地制备了Bi2Te3化合物热电薄膜。通过循环伏安扫描研究Te和Bi在Au衬底上的电化学特性。使用自动沉积系统交替欠电位沉积Te、Bi原子层200个循环获得沉积物。XRD、EDX和FESEM测试结果表明循环沉积200层后得到的沉积物Bi和Te的化学计量比为2:3。且是Bi2Te3薄膜化合物。而非单质Bi和Te的简单混合;薄膜均匀、致密、平整且可重复性好。以(015)为最优取向外延生长的。

英文摘要:

The Bi2Te3 thin film deposition on Au substrate using electrochemical atomic layer epitaxy (ECALE) is reported in this article. Cyclic voltammograms of Bi and Te on the Au substrate were performed to investigate electrochemical aspects of tellurium and bismuth. 200 cycle deposits were formed by using an optimized deposition program. X-ray diffraction,EDX quantitative analysis and FESEM studies of the morphology of substrates and deposits indicated the stoichiometric ratio of Bi to Te is 2 : 3; the deposits are Bi2Te3, not mixture of Bi and Te; the quality of the deposits are symmetrical,compact and glazed, with a (015) preferred orientation, which suggested an epitaxy growth mechanism of Bi2 Te3 thin films has taken place.

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期刊信息
  • 《功能材料》
  • 北大核心期刊(2011版)
  • 主管单位:重庆材料研究院
  • 主办单位:重庆材料研究院
  • 主编:黄伯云
  • 地址:重庆北碚区蔡家工业园嘉德大道8号
  • 邮编:400707
  • 邮箱:gnclwb@126.com
  • 电话:023-68264739
  • 国际标准刊号:ISSN:1001-9731
  • 国内统一刊号:ISSN:50-1099/TH
  • 邮发代号:78-6
  • 获奖情况:
  • 2008、2011年连续获中国精品科技期刊,2010获重庆市双十佳期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 美国化学文摘(网络版),荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊(2004版),中国北大核心期刊(2008版),中国北大核心期刊(2011版),中国北大核心期刊(2014版),英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊(2000版)
  • 被引量:30166