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Resistive random access memory and its applications in storage and nonvolatile logic
  • ISSN号：1674-4926
  • 期刊名称：《半导体学报：英文版》
  • 时间：0
  • 分类：TP333.8[自动化与计算机技术—计算机系统结构;自动化与计算机技术—计算机科学与技术] N02[自然科学总论—科学技术哲学]
  • 作者机构：Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing 100871, China
  • 相关基金：supported in part by the National Natural Science Foundation of China（Nos.61421005,61376084）; the National Science and Technology Major Project of China（No.2011ZX02708）
作者： Dongbin Zhu, Yi Li, Wensheng Shen, Zheng Zhou, Lifeng Liu, Xing Zhang
关键词： 随机存取存储器, 电阻式, 应用, 逻辑, 非易失性存储器, 技术发展趋势, 记忆特性, 转换机制, RRAM memory nonvolatile logic metal–oxide resistive switching
中文摘要：

Corresponding author. Email： lfliu@pku.edu.cn Corresponding author. Email： zhx@pku.edu.cn

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期刊信息
  • 《半导体学报：英文版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中国科学院
  • 主办单位:中国电子学会 中国科学院半导体研究所
  • 主编：李树深
  • 地址：北京912信箱
  • 邮编：100083
  • 邮箱：cjs@semi.ac.cn
  • 电话：010-82304277
  • 国际标准刊号：ISSN：1674-4926
  • 国内统一刊号：ISSN：11-5781/TN
  • 邮发代号:2-184
  • 获奖情况:
  • 90年获中科院优秀期刊二等奖,92年获国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署...,97年国家科委、中共中央中宣传部和国家新出版署三等奖,中国期刊方阵“双效”期刊
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,荷兰文摘与引文数据库,美国工程索引,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,日本日本科学技术振兴机构数据库,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,英国英国皇家化学学会文摘,中国北大核心期刊（2000版）
  • 被引量:7754