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氧化物电阻存储器多值存储的可靠性及失效机理研究
  • 项目名称：氧化物电阻存储器多值存储的可靠性及失效机理研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：61376084
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：刘力锋
  • 依托单位：北京大学
  • 批准年度：2013
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
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期刊论文
Resistive random access memory and its applications in storage and nonvolatile logic
刘力锋的项目
氧化物基电阻存储器电阻开关特性的离子掺杂调控研究
期刊论文 9 会议论文 2 专利 3