欢迎您!
东篱公司
退出
申报数据库
申报指南
立项数据库
成果数据库
期刊论文
会议论文
著 作
专 利
项目获奖数据库
位置:
成果数据库
>
期刊
> 期刊详情页
Raman-scattering characterization of InN films grown by pressurized metal organic vapor phase epitax
ISSN号:1521-3951
期刊名称:phys. stat. sol. (b
时间:2011.12.21
页码:779-783
相关项目:高InN组分InGaN材料生长机理的研究
作者:
Hiroshi Harima|Kenji Kisoda|Yu Huai Liu|Takashi Matsuoka|
同期刊论文项目
高InN组分InGaN材料生长机理的研究
期刊论文 8
会议论文 2
同项目期刊论文
Key factors for metal organic chemical vapor deposition of InGaN films with high InN molar fraction
A novel material for laser diodes of optical fiber communication
Phase diagram on phase purity of InN grown pressurized-reactor MOVPE
ffect of Phase Purity on Dislocation Density of Pressurized-Reactor Metalorganic Vapor Phase Epitaxy
Tilted Domain and Indium Content of InGaN Layer on m-Plane GaN Substrate Grown by Metalorganic Vapor