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Raman-scattering characterization of InN films grown by pressurized metal organic vapor phase epitax
  • ISSN号:1521-3951
  • 期刊名称:phys. stat. sol. (b
  • 时间:2011.12.21
  • 页码:779-783
  • 相关项目:高InN组分InGaN材料生长机理的研究
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