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用正电子研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱
  • ISSN号：1671-8836
  • 期刊名称：《武汉大学学报：理学版》
  • 时间：0
  • 分类：O474[理学—半导体物理;理学—物理]
  • 作者机构：武汉大学物理学系
  • 相关基金：国家自然科学基金!（69576020）
作者： 王少阶, 陈志权
关键词： 正电子湮没, 缺陷, 化合物半导体
中文摘要：

简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展，包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等，研究表明，在原生半导体材料中存在各种缺陷，经过辐照和璩 变化有单空位、双空位及孔洞形成；在重掺杂材料中，空位还补偿载流子，使载流子发生饱和。

同期刊论文项目
Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究
期刊论文 1
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期刊信息
  • 《武汉大学学报：理学版》
  • 中国科技核心期刊
  • 主管单位:中华人民共和国2教育部
  • 主办单位:武汉大学
  • 主编：刘经南
  • 地址：湖北武昌珞珈山
  • 邮编：430072
  • 邮箱：whdz@whu.edu.cn
  • 电话：027-68756952
  • 国际标准刊号：ISSN：1671-8836
  • 国内统一刊号：ISSN：42-1674/N
  • 邮发代号:38-8
  • 获奖情况:
  • 国内外数据库收录:
  • 俄罗斯文摘杂志,美国化学文摘（网络版）,美国数学评论（网络版）,德国数学文摘,荷兰文摘与引文数据库,美国剑桥科学文摘,英国科学文摘数据库,英国动物学记录,中国中国科技核心期刊,中国北大核心期刊（2004版）,中国北大核心期刊（2008版）,中国北大核心期刊（2011版）,中国北大核心期刊（2014版）
  • 被引量:6988