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Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究
  • 项目名称：Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：69576020
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：王少阶
  • 依托单位：武汉大学
  • 批准年度：1995
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
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期刊论文
用正电子研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱
王少阶的项目
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期刊论文 25 会议论文 13 著作 1
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期刊论文 15
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