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中文摘要：
三年来，经过课题组成员的不懈努力，我们在高质量AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结构材料的MOCVD外延生长、GaN基异质结构中2DEG的量子输运性质和自旋性质研究等方面开展了系统的工作，取得了若干重要进展。三年来本课题共发表SCI收录论文16篇，包括APL论文5篇、PRB论文2篇、JAP论文4篇；申请国家发明专利2项；其间本课题负责人担任了APL、PSSA等国际期刊评审人；课题组成员在国际学术会议上做邀请报告3次，在国内学术会议上做邀请报告2次，本课题负责人参与主办并组织了第四届亚太宽禁带半导体材料与器件国际会议(APWS-2009)和第八届国际半导体发光器件研讨会（ISSLED-2010）。课题组三年来共毕业博士研究生9人、毕业硕士研究生1人。因此，我们认为本课题圆满完成了计划任务书规定的各项研究任务。
结论摘要：
英文主题词wide band-gap semiconductor; III-nitride; spin transport property
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