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中文摘要：
本课题主要研究内容包括高质量GaN基异质结构的外延生长和缺陷控制、GaN基异质结构中2DEG的量子输运性质和本征自旋性质研究。三年来，经过课题组成员的不懈努力，在高质量AlGaN/GaN和InAlN/GaN异质结构材料的MOCVD外延生长、GaN基和ZnO基异质结构中2DEG的量子输运性质和自旋性质研究等方面开展了系统的工作，取得了若干重要进展。三年来共发表SCI收录论文24篇，包括PRL论文1篇、APL论文10篇、PRB论文1篇、JAP论文6篇，申请国家发明专利2项，在国际学术会议上做邀请报告4次，在国内学术会议上做邀请报告多次。三年来共毕业博士研究生6人，毕业硕士研究生2人。课题负责人参与主办并担任第4届亚太宽禁带半导体材料与器件国际会议(APWS-2009)程序委员会主席，担任在我国举行的第16届晶体生长国际大会(ICCG-16)外延生长分会主席，多次担任国际学术会议程序组织委员会成员。本课题圆满完成了计划任务书规定的各项研究任务。
结论摘要：
英文主题词wide bandgap semiconductor; III-nitride; heterostructure; quantum transport; spin
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