中文摘要：

氧化锡等宽带隙半导体材料的p型掺杂一直是制约该领域发展的一个难点。本项目对采用MOCVD方法制备氧化锡及其掺杂薄膜的工艺条件进行了研究。制备出了具有高结晶质量的氧化锡薄膜；并在此基础上制备出了具有较高质量的掺杂氧化锡薄膜。实验中，利用MOCVD方法分别采用铟、镓、铝、锌等元素在蓝宝石衬底上制备了SnO2:In 、SnO2:Ga、 SnO2:Al 、SnO2:Zn等掺杂薄膜。研究了制备条件及掺杂浓度对薄膜结构及光电特性的影响；并对后处理条件对薄膜特性的影响进行了研究。项目组还通过离子注入方法制备了SnO2:Li、 SnO2:N、 SnO2:P等掺杂薄膜；通过MOCVD方法制备了镓氮共掺杂SnO2薄膜；并对后处理条件的影响进行了研究。通过霍尔测量及热探针测试双重验证，未发现上述制备的样品中有明确的导电类型转换现象。项目组通过磁控溅射方法制备了CuSnO薄膜，研究了制备工艺及后处理条件对薄膜性能的影响。测试表明，该薄膜在可见光区具有60%左右的透过率，薄膜导电类型为p型，电阻率约为66Ωcm。