位置：立项数据库 > 立项详情页
4H-SiC厚外延膜中扩展缺陷产生及转化机理研究
  • 项目名称：4H-SiC厚外延膜中扩展缺陷产生及转化机理研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51272202
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：贾仁需
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2012
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
  • 0
  • 0
  • 0
  • 0
期刊论文
Effect of re-oxidation annealing process on the SiO2/SiC interface characteristics
Periodic solitons in dispersion decreasing fibers with a cosine profile
贾仁需的项目
氧化镓紫外探测器研究
碳化硅多型异质结及性能研究
期刊论文 3 专利 4
基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究
期刊论文 1