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基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究
  • 项目名称：基于SiC衬底的氧化镓外延薄膜生长及其特性研究
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：51472196
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：贾仁需
  • 依托单位：西安电子科技大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 1
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期刊论文
碱性条件影响下的Bi2O2(BO2OH)/BiOIO3异质结
贾仁需的项目
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碳化硅多型异质结及性能研究
期刊论文 3 专利 4
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期刊论文 2