中文摘要：

针对纳米结构电子器件，在理论上研究纳米结构体系的动态电子输运性质，并重点关注结构间的接点问题。相对于介观尺寸来讲，接点处存在一个由宏观向介观的过渡区域，其大小主要取决于电屏蔽尺度。在该区域中一般都会存在电荷积累，而该区域的电荷分布及其运动将会对整个体系的电势分和输运性质有重要影响。利用动态自洽场方法和线性响应理论，我们建立了动态输运问题的自洽方程,并应用其解决带有接点的纳米结构体系的输运问题。我们的研究发现，在纳米结构体系的电子输运中，由于量子相干效应和电子间的相互作用，引线与器件之间、器件与器件之间、以及接点与器件之间的相互影响对体系的整体输运性质有很大的影响必须加以考虑。在纳米体系动态响应研究中，我们发现一些输运特性与系统中的等离基元有关，因此为理解纳米体系的动态输运特性提供了一个重要线索。研究中注意到金属表面等离极化激元在未来微电子学的应用正受到广泛的关注，因此从量子力学出发我们给出了适用于纳米结构体系表面等离极化激元研究的非局域电磁响应理论并研究纳米结构表面等离极化激元。 这些研究结果相信会对实际纳米电子器件设计起到一定理论指导作用。