中文摘要：

尘埃粒子污染是大规模集成电路等离子体加工制造中急待解决的基本问题。我们开展尘埃粒子与等离子体鞘层相互作用研究取得一些新的重要研究成果。研究发现阴极发射的电子束能使尘埃粒子在整个鞘层带负电，尘埃粒子的二次电子发射导致相同大小尘埃粒子能被捕获在鞘层不同位置。负脉冲电压尘埃等离子体鞘层的时空演化研究表明，尘埃粒子存在使鞘层边界扩展速度更快，也使注入工件的离子流增加。研究被捕获在阴极鞘层中的尘埃粒子发现，尘埃粒子温度越高，尘埃粒子被捕获的空间区越宽，当尘埃粒子温度趋于零时，尘埃粒子被捕获在合力为零的平行于极板的平面内。上述研究成果发表在国际重要学术期刊上，对该领域的研究有重要的参考价值。

结论摘要：

尘埃粒子污染是大规模集成电路等离子体加工制造中急待解决的基本问题。我们开展尘埃粒子与等离子体鞘层相互作用研究取得一些新的重要研究成果。研究发现阴极发射的电子束能使尘埃粒子在整个鞘层带负电，尘埃粒子的二次电子发射导致相同大小尘埃粒子能被捕获在鞘层不同位置。负脉冲电压尘埃等离子体鞘层的时空演化研究表明，尘埃粒子在使鞘层边界扩展速度更快，也使注入工件的离子流增加。研究被捕获在阴极鞘层中的尘埃子发现，尘埃料子温度越高，尘埃粒子被捕获的空间区域越宽，当尘埃粒子温度趋于零时，尘埃粒子被捕获在合力为零的平行于极板的平面内。上述研究成果发表在国际重要学术期刊上，对该领域尘埃粒子污染是大规模集成电路等离子体加工制造中急待解决的基本问题。我们开展尘埃粒的研究有重要的参考价值。