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中文摘要：
研究了一种新型的等离子体基离子注入/沉积表面改性新方法- - 电子聚焦电场增强等离子体离子注入/沉积，该方法利用一个点状的阳极和一个大面积的待注入工件形成的具有电子聚焦作用的电场对辉光放电进行增强，使得离子注入过程不需要额外的等离子体发生装置即可顺利进行。研究包括从理论上建立该新型注入/沉积方法的等离子体增强机理以及离子的分布规律模型，究电子聚焦电场增强等离子体辉光增强机理和微观机制以及这种方法的等离子体密度分布模型，建立电子聚焦电场增强等离子体离子注入－沉积方法中的离子分布规律等，研究了等离子体注入鞘层扩展规律。研究对进一步推进离子注入在材料表面改性领域中的应用理论和技术具有重要意义。
结论摘要：
英文主题词plasma immersion ion implantation; EGD-PIII; sheath
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