理想的p型透明导体(TCO)不仅是实现具有p-n结的透明导体器件的关键,而且将促进平面显示、建筑和太阳光伏能源系统等的进一步发展。多年来,p型导体的研究主要集中在一些氧化物的搀杂,但是进展不大,其导电率比n型低4-5个数量级。申请人合成出具有铜硫层的硫氧化合物La5Cu6O4S7,该材料具有非常高的透明度和导电率,理论计算发现铜硫层中含有空穴,并预测其为p型导体。本项目是承接前期的工作,为了证实L
理想的p 型透明导电材料(TCM)不仅是实现具有p-n 结的透明导体器件的关键,而且将促进平面显示、建筑和太阳光伏能源系统等的进一步发展。多年来,p 型导体的研究主要集中在一些氧化物的搀杂,但是进展不大,其导电率比n 型低4-5 个数量级。申请人合成出具有铜硫层的硫氧化合物La5Cu6O4S7,该材料具有非常高的透明度和导电率,理论计算发现铜硫层中含有空穴,并预测其为p型导体。本项目是承接前期的工作,为了证实La5Cu6O4S7 是目前导电性最好的p 型透明导体,合成了多晶块体陶瓷材料以完成p 型导体测试。本项目将合成La5Cu6O4S7 的衍生物和搀杂的LaCuOS 等潜在的p 型TCM 材料,并研究其光电性质。利用前期的工作基础及理论依据,本项目还创新性的把黄铜矿结构的含铜硫化合物CuAlS2应用于p型透明导体的研究与开发,结合真空固相反应与SPS烧结,合成多晶陶瓷材料,系统研究了其光电性能,首次发现自掺杂的CuAlS2具有非常优异的透明导电特性。为了与实际应用接轨,初步尝试了透明p 型膜和透明p-n结的探索与研究,取得了阶段性成果。