中文摘要：

在钙钛矿型氧化物中发现的电阻开关效应具有电阻变化率高，响应时间短以及存储非易失性等的优点，如能将钙钛矿氧化物的阻变特性与铁电（压电）以及铁磁等特性结合起来、制备实时可控的多铁性多功能器件，将在信息领域具有广阔的应用前景。但是，人们目前对电阻开关效应的物理起源还缺乏清楚的认识，钙钛矿型氧化物中氧离子迁移、铁电（磁）畴结构以及钙钛矿氧化物与电极或其它材料界面之间的耦合与器件阻变性能之间的关联规律仍不明确。本项目拟系统考察氧化物/电极三明治结构的电输运过程及阻变和铁电、铁磁等特性的关联，研究氧化物材料和电极的物理性能对电阻开关效应的影响，找出影响各阻变性能参数的关键因素，寻求调控阻变性能的根本方法，并且优化单个RRAM 器件的性能。在此基础上，通过两个纳米线电极阵列的90度交叉排列，制备超高密度RRAM 阵列，并且解决交叉阵列的串扰和存取问题。