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高Tc的In2O3稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性
  • 项目名称:高Tc的In2O3稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性
  • 项目类别:面上项目
  • 批准号:60776008
  • 申请代码:F040108
  • 项目来源:国家自然科学基金
  • 研究期限:2008-01-01-2010-12-31
  • 项目负责人:许小红
  • 负责人职称:教授
  • 依托单位:山西师范大学
  • 批准年度:2007
中文摘要:

采用脉冲激光沉积法制备过渡金属掺杂的In2O3稀磁半导体薄膜。研究整个制备过程对薄膜最终结构和磁性的影响。通过控制过渡金属元素的掺杂浓度、控制载流子浓度和采用最佳制备方案等制备出Tc远高于室温的In2O3稀磁半导体薄膜,并使其具有由过渡金属磁性正离子取代In3+离子的均相结构。运用磁园二色性谱和霍尔效应等表征手段来探明In2O3薄膜磁性的来源,结合第一性原理的理论计算进一步弄清其磁性产生的机制。本项目的研究结果将会为实现In2O3稀磁半导体薄膜的器件化奠定一定的实验和理论基础。

结论摘要:

英文主题词In2O3 diluted magnetic semiconductor; Transition metal; Curie temperature; Origin and mechanism of magnetism


成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
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  • 著作
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  • 0
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