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高居里温度氧化物稀磁半导体的非补偿p-n共掺杂及其对自旋与载流子的分离调控与优化
项目名称:高居里温度氧化物稀磁半导体的非补偿p-n共掺杂及其对自旋与载流子的分离调控与优化
项目类别:重点项目
批准号:61434002
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:许小红
依托单位:山西师范大学
批准年度:2014
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
2
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期刊论文
二维材料外延生长的原子尺度机理:特性与共性
Contrasting room-temperature hydrogen sensing capabilities of Pt-SnO2 and Pt-TiO2 composite nanoceramics
许小红的项目
3d过渡金属掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备与磁性
期刊论文 10
会议论文 2
超高密度垂直磁存储L10-FePt薄膜的结构与性能
电场和磁场共同调控的氧化物基自旋忆阻器件
超高密度垂直磁存储L10-FePt薄膜的结构与性能
高Tc的In2O3稀磁半导体薄膜的制备、结构与磁性
期刊论文 17
获奖 2
专利 1
金属磁性薄膜材料
期刊论文 38
专利 3
软磁/硬磁交换耦合梯度型纳米点阵列与反点阵列的可控制备与研究
期刊论文 1