中文摘要：

类石墨烯二硫化钼的一些电子输运特性与已知的光学性质具有相似性，通过这些类比可以进一步研究二硫化钼中电子的类光学性质及其调制特性。本项目首先从电子的克莱恩(Klein)隧穿和经典运动出发，研究单层二硫化钼势垒结构中电子的透射和反射行为，分析二硫化钼中电子束在量子结构中的传输与电子束入射角、入射能量等参数之间的关系，揭示二硫化钼量子结构中电子传播的基本性质。然后根据单层二硫化钼势垒结构中电子透射率的性质，运用稳态相位法，分别研究二硫化钼量子结构中在行波场和消逝场两种情况下电子的Goos-H？nchen位移特性。最后采用转移矩阵理论研究含势阱的二硫化钼多势垒结构中电子透射带隙以及电导等输运特性。这些问题的深入研究可以深化对二硫化钼基本性质的理解，丰富受限小量子系统中电子输运特性的研究内容，也可为类石墨烯电子器件的设计和实验上的实现提供理论依据。