中文摘要：

构筑微纳尺度的电子器件是设备微型化发展的必然趋势。锗(Ge)作为一种重要的半导体材料，由于其较高的载流子迁移率、较大的波尔半径、较高的锂离子扩散系数等，使得Ge纳米管(GeNTs)在高性能的光电、锂电、近红外探测等领域有潜在应用。此外，理论研究表明锰掺杂的GeNTs具有磁性，在纳米磁存储及传感领域有重要应用。然而与碳相比,Ge原子更倾向于形成sp3杂化，因此实验中获得的一般是Ge纳米线而非GeNTs。本项目拟以多孔氧化铝为模板,通过溶液浸泡(修饰催化剂前驱体)和化学气相沉积(制备Ge)相结合的方法，旨在氧化铝模板纳米通道内制备出两端开口的GeNT阵列。在此基础上，系统研究不同条件制备GeNTs的光、电特性以及过渡金属掺杂对其结构、性能的影响。该项目将为研究GeNTs的制备工艺，揭示过渡金属掺杂对其结构、性能的影响以及优化Ge基纳米结构性能提供实验基础，对锗基纳米结构器件化有一定的推动作用。