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拓扑晶态绝缘体的薄膜生长及能带调控
  • 项目名称：拓扑晶态绝缘体的薄膜生长及能带调控
  • 项目类别：面上项目
  • 批准号：11474058
  • 项目来源：国家自然科学基金
  • 研究期限：1900-01-01-1900-01-01
  • 项目负责人：修发贤
  • 依托单位：复旦大学
  • 批准年度：2014
成果综合统计
成果类型
数量
  • 期刊论文
  • 会议论文
  • 专利
  • 获奖
  • 著作
  • 2
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期刊论文
Wafer-scale arrayed p-n junctions based on few-layer epitaxial GaTe
Manganese and chromium doping in atomically thin MoS2
修发贤的项目
　拓扑绝缘体薄膜的磁性掺杂及磁性调控
新型二维原子晶体材料的生长及光电器件研究
期刊论文 1
拓扑绝缘体
期刊论文 2