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Heusler结构框架下新型磁电材料开发与单晶多层膜制备研究
项目名称:Heusler结构框架下新型磁电材料开发与单晶多层膜制备研究
项目类别:面上项目
批准号:51271071
项目来源:国家自然科学基金
研究期限:1900-01-01-1900-01-01
项目负责人:刘国栋
依托单位:河北工业大学
批准年度:2012
成果综合统计
成果类型
数量
期刊论文
会议论文
专利
获奖
著作
6
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期刊论文
Heusler型X2RuPb(X=LU,Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性
正交多铁性材料DyMnO3的磁性质研究
半Heusler型Na1-xCsxAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究
CuHg2Ti型Ti2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究
Ga空位对GaN:Gd体系磁性影响的第一性原理研究
CoTiSb基体中Ni元素诱导的单自旋通道研究
刘国栋的项目
以化学键内旋转刚性能的加和性研究共聚物玻璃化温度-组成-序列结构关系
期刊论文 8
具有低磁矩的CuHg2Ti型高自旋极化材料研究
期刊论文 7
专利 2