中文摘要：

本项目基于硼化镁超导薄膜的化学气相沉积制备方法，研究（1）硼化镁超导薄膜的双加热器原位化学气相沉积制备方法，制备过程中的镁缺失机制和克服方法；（2）硼化镁超导薄膜台阶处的微观结构和超导特性的关系；（3）从多种缓冲层介质中筛选处1-2种适合制备硼化镁超导多层膜的缓冲层介质；（4）探索在硅、氧化铝、金属等多种基片上制备大面积硼化镁超导多层膜的制备工艺；（5）研究硼化镁超导多层膜结晶过程中成核机制。本项

结论摘要：

在超导电子技术中，以硼化镁(MgB2)超导薄膜取代以鈮为基础的材料，可将超导电路的工作温度提高到20K以上，大大减小制冷成本和制冷机的体积。实现此目标的关键是优质硼化镁超导单层和多层膜的制备。制备MgB2超导薄膜的主要难点是Mg的高挥发性、Mg和B的易氧化性、形成MgB2过程中较高的镁蒸汽压要求。本项目采用化学气相沉积技术，较好地克服了上述困难。在化学气相沉积两步法的基础上，发明了双加热器一步法工艺，在氧化硅、单晶和多晶氧化铝等基片上成功制备出单层硼化镁超导薄膜，其起始转变温度39K,转变宽度1K。最大电流密度达到1000000A/平方厘米。采用单质硼为介质层，分别用两步法和一步法制备了两层超导薄膜。一步法制备的多层膜，层间介质硼膜绝缘电阻在10千欧姆至100千欧姆范围，上层超导薄膜的最低转变温度为35K。两步法制备的多层膜，层间介质硼膜的绝缘电阻大于100兆欧姆，上层超导薄膜的最低转变温度为35K。