中文摘要：

对磷化铟基中波红外多量子阱光电探测器的能带设计、材料生长、器件研制、器件特性表征等进行了深入研究。在对InP基的InAlAs/InGaAs材料体系进行能带裁剪设计的基础上采用气态源分子束外延方法生长了多量子阱器件结构并研制出了高性能的中波红外光电探测器。采用傅里叶变换红外光谱等方法对器件的光谱响应等特性进行的测量表明，在77K下器件的峰值响庆波长为3.85微米，器件在2V偏置下的暗电流低至1nA，背景限制温度达到165K，电流响应度和峰值探测率均优于预定指标，已圆满完成了预定研究计划。项目进行中共发表有关研究论文7篇。此项研究工作为进一步开展器件的应用和开发打下了良好基础。