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中文摘要：
采用弱外延生长方法制备出酞菁锡二氯和酞菁氧锡高品质的非平面酞菁晶体薄膜，电子迁移率达到0.44 cm2/Vs，接近目前商用非晶硅(0.7 cm2/Vs)水平。发展出适合在透明导电电极上制备弱外延生长的诱导层材料BP2T，并实现效率达到3%的结晶性有机光伏器件。
结论摘要：
英文主题词Organic semiconductors; charge acrrier mobility; Phthalocyanine
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